ADG5412F

<strong>简介</strong>

与系统模拟输入和输出节点交互作用的外置高压瞬变可能破坏系统中未采用充分保护措施的集成电路(IC)。现代IC的模拟输入和输出引脚通常采用了高压静电放电(ESD)瞬变保护措施。人体模型(HBM)、机器模型(MM)和充电器件模型(CDM)是用来测量器件承受ESD事件的能力的器件级标准。这些测试旨在确保器件能承受器件制造和PCB装配流程中的静电压力，通常在受控环境中实施。

工作于恶劣电磁环境中的系统在输入或输出节点上需要承受高压瞬变——并且在从器件级标准转向系统级标准以实现高压瞬变鲁棒性时，传输到IC引脚的能量水平存在显著差异。因此，直接与这些系统输入/输出节点连接的IC也必须采用充分的保护措施，以承受系统级高压瞬变。如果在系统设计中未能及早考虑这种保护机制，结果可能导致系统保护不足、产品发布推迟、系统性能下降等问题。本文旨在描述如何保护敏感的模拟输入和输出节点，使其免受这些IEC标准瞬变的影响。

<strong>作者：David Forde、David Aherne、Jeffrey Ryan</strong>

<strong>简介</strong>

在恶劣电磁环境中工作的电子系统须按照特定标准对其输入和输出端口加以保护，以防止器件受到静电放电(ESD)、电快速瞬变（EFT/突波）、浪涌事件影响。

本应用笔记说明ADI公司新一代集成过压保护(OVP)功能的故障防护系列开关，结合极少的外部元件，能够加快符合IEC61000-4 ESD、EFT和浪涌事件标准的保护架构的设计过程。本应用笔记阐述了过压故障防护原理，并对可以实现IEC标准水平高可靠性的电路进行了说明。

本应用笔记所述的瞬变电压抑制器(TVS)设计窗口概念，在元件选择方面为系统设计人员提供了更大的灵活性，并能使系统设计得以简化同时实现更高的精度。

本应用笔记阐释了该IEC水平的保护解决方案如何将下游保护要求降至相当于1 kV人体模型(HBM) ESD的水平。

<strong>电磁兼容性</strong>