<strong>产品特性</strong>
* EEMBC ULPBench™分数 – 245.5
* 超低功耗活动和休眠模式
* 活动（全开模式）：< 30 μA/MHz（典型值）1
* 灵活模式（内核处于休眠、外设模式）：< 300 μA（典型值）
* 休眠模式（带 SRAM 保留）：< 750 nA（典型值）
* 关断模式（可选 RTC 活动）：< 60 nA（典型值）
* 集成 MPU 的 ARM® Cortex®-M3 处理器
* 串行线调试接口频率最高达 26 MHz
<strong>电源管理</strong>
* 单电源供电(VBAT)：1.74 V 至 3.6 V
* 内部产生的 1.2 V（典型值）域，可选的模式如下：
* LDO+降压转换器可提高效率（可选）
* 仅 LDO
<strong>选项</strong>