用双极性方法驱动单极性栅极驱动器
selina -- 周三, 11/07/2018 - 09:50
作者:Ryan Schnell
是否需要专门的栅极驱动器来提供正负电压?
不需要。可以调整单极性栅极驱动器,改用双极性方式驱动。如果一个特殊的功率器件需要正负栅极驱动,电路设计人员无需特别寻找可进行双极性操作的特殊栅极驱动器。使用一个简单的技巧,就可以使单极性栅极驱动器提供双极性电压!
当驱动中/高功率MOSFET和IGBT时,一旦功率器件上的电压变化速率较高,就会存在密勒效应导通风险。电流通过栅极-漏极电容或栅极-集电极电容注入到功率器件的栅极。如果电流注入足够大,使栅极电压高于器件的阈值电压,则可以观察到寄生导通效应,从而导致效率降低,甚至出现器件故障。
通过使用一个从功率器件栅极到源极或漏极的超低阻抗路径,或者通过为栅极提供一个相对于源极或漏极的负驱动电压,可以缓解密勒效应。密勒效应导通缓解技术的目标是当通过密勒电容的电流达到尖峰时,保持栅极电压在期望的阈值以下。
某些功率器件类型的完全关断甚至需要负电压,必须要求来自栅极驱动器的负电压驱动。器件制造商建议使用负栅极驱动电压的器件包括标准的硅基MOSFET、IGBT、SiC和GaN器件。