产品特性
低失调电压：60 μV（最大值，25°C，8 引脚和 14 引脚 SOIC）
低失调电压漂移：1 μV/°C（最大值，8 引脚和 14 引脚 SOIC）
低输入偏置电流：1 nA（最大值，25°C）
低电压噪声密度：8 nV/√Hz（典型值，1 kHz）
大信号电压增益(AVO)：100 dB（最小值，全电源电压和工作
温度范围）
支持高于或低于供电轨电压 32 V 的输入过压保护
集成 EMI 滤波器
70 dB（1000 MHz 下的典型抑制）
90 dB（2400 MHz 下的典型抑制）
轨到轨输出摆幅
低供电电流：每个放大器 500 µA（典型值）
宽带宽
增益带宽积(AV = 100)：3.5 MHz（典型值）
单位增益交越(AV = 1)：3.5 MHz（典型值）
−3 dB 带宽(AV = 1)：6 MHz（典型值）
双电源供电
额定电压±5 V 至±15 V，工作电压±2.5 V 至±18 V
单位增益稳定
无反相
长期失调电压漂移（10,000 小时）：2 µV（典型值）
温度迟滞：2 µV（典型值）
