最新产品提供集成度、高能效、精准度及可靠性
2020年4月28日—推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），继续扩充用于工业电机驱动应用的产品阵容，以进一步帮助客户解决他们的具体设计挑战。电机驱动系统正随着工业自动化及机械人激增。这些系统要求在恶劣工业环境中达到高能效、精准的测量、准确的控制及高可靠性。要有效地开发应用于工业电机驱动的半导体，需要先进的设计、集成有源和无源器件的能力、精密的封装包括基板材料，以及高质量和可靠性标准。
安森美半导体推出NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E，分别为25、35和50安培（A）版本的转移成型功率集成模块(TM-PIM)，用于1200伏（V）的应用，提供转换器-逆变器-制动（CIB）和转换器-逆变器（CI）配置版本。这些模块包括6个1200 V IGBT、6个 1600 V 整流器和一个用于系统级温度监控的负温度系数（NTC）热敏电阻。CIB版本使用一个附加的1200 V IGBT和一个二极管。新推出的模块采用转移成型封装，延长温度及功率的循环寿命。模块尺寸仅为73 x 40 x 8毫米（mm），具有可焊接引脚，CIB和CI版本均具有一个标准化的引脚输出。
公司同时推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，扩充了智能功率模块（IPM）产品阵容，包括额定电压650 V和1200 V，以及额定电流10 A至75 A。这些三相逆变器集成了额定短路的沟槽型绝缘门双极晶体管（Trench IGBT）、快速恢复二极管、门极驱动器、自举电路、可选的NTC热敏电阻和保护，通过一个额定2500 Vrms /分钟的隔离提供紧凑可靠的模块，获UL1557认证。这些IPM具有直接键合铜基板和低损耗硅的特性，延长功率循环寿命和散热能力。
通过片上电流隔离，NCD57000和NCD57001 IGBT门极驱动器透过减低系统复杂性实现紧凑、高效和可靠的门极驱动器设计。这些器件分别提供4 A/6 A供应电流和汲取电流，同时还集成了去饱和(DESAT)、米勒钳位、欠压锁定（UVLO）保护、使能（Enable）和稳压VREF。
NCS21871零漂移运算放大器以一个45 µV低输入偏置电压提供精确的信号调节，同时从-40°C至+125°C维持该精度，低输入偏置漂移为0.4 µV /°C。这些参数使其非常适合用于低边电流检测。
NCP730 LDO稳压器提供150 mA，输出电压精度为±1％，工作输入电压范围从2.7 V至38 V和具有低压降。集成的软启动可抑制涌入电流，在过载情况下提供短路和过热保护，使器件非常适合用于工业自动化应用。
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应用注译：新转移成型功率集成模块（TM-PIM）用于工业驱动
关于安森美半导体
安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON）致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片（SoC）及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，一套强有力的守法和道德规范计划，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
