Steven Martin，电池充电器设计经理
引言
处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管， 但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极 管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电时则须 供应电流。
另一种方法是使用图 1 所示的 MOSFET 电路之一。
对于负载侧电路而言，这种方法比使用二极管更好，因为电源 (电池) 电压增强了 MOSFET， 因而产生了更少的压降和实质上更高的电导。该电路的 NMOS 版本比 PMOS 版本更好，因 为分立式 NMOS 晶体管导电率更高、成本更低且可用性更好。在这两种电路中，MOSFET 都 是在电池电压为正时导通，电池电压反转时则断开连接。MOSFET 的物理“漏极”变成了电源， 因为它在 PMOS 版本中是较高的电位，而在 NMOS 版本中则是较低的电位。由于 MOSFET 在三极管区域中是电对称的，因此它们在两个方向上都能很好地传导电流。采用此方法时，晶体管必须具有高于电池电压的最大 VGS 和 VDS 额定值。
