GaN HEMT

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）正逐渐成为电力电子领域的一项关键使能技术。该技术最初针对高频射频应用而开发，随后凭借其相较于传统硅基半导体的显著性能优势，在快速充电解决方案中获得了广泛应用。