突破性能极限!英诺赛科发布低压GaN 200A电机系统方案
winniewei -- 周三, 11/19/2025 - 10:11
在机器人、无人机、低压大功率伺服驱动等应用场景中,高效率、高功率密度的电机驱动方案一直是行业追求的焦点。面对日益增长的低压大功率电机驱动需求,传统硅基器件在开关频率、导通损耗和温升方面逐渐触及瓶颈。
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业,致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地,当前产能15000片/月,产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品,涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类,并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今,英诺赛科已获专利700多项,累计出货量突破5亿颗。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。

在机器人、无人机、低压大功率伺服驱动等应用场景中,高效率、高功率密度的电机驱动方案一直是行业追求的焦点。面对日益增长的低压大功率电机驱动需求,传统硅基器件在开关频率、导通损耗和温升方面逐渐触及瓶颈。
