Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
摘要
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。
摘要
带Microsemi模块的栅极驱动器板
带Microsemi的栅极驱动板
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。
栅极是每个器件的电气隔离控制端。
MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。
作者：Brian Kennedy
许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。
LTC7000 是一款快速、受保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，该器件包含一个内部充电泵，因而允许外部 N 沟道 MOSFET 无限期地保持导通。LTC7000 接收一个低电压数字输入信号，并能以 35ns 的传播延迟完全接通或关断一个其漏极可高出地电位达 135V 的高压侧 N 沟道 MOSFET。
ADI自动化、能源与传感器业务部门电机和电源控制团队(MPC)的高级系统应用工程师Dara O'Sullivan与大家探讨了3相逆变器系统中存在的系统设计问题，同时分析了与隔离式栅极驱动和电流/电压检测相关的设计挑战以及系统设计因素，如偏置电源和过流保护。另外还介绍了实际电路实施方案以及栅极驱动器时序等参数对电机控制系统性能影响的实验研究。