Walt DeMore ADI 公司工程经理
摘要
GaN功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。
氮化镓(GaN)功率半导体技术为提高RF/微波功率放大的性能水平作出了巨大贡献。通过减少器件的寄生元件，以及采用更短的栅极长度和更高的工作电压，GaN晶体管已实现更高的输出功率密度、更宽的带宽和更好的DC转RF效率。例如，2014年已做过基于GaN的X波段放大器的雷达系统应用展示，它能提供8 kW脉冲输出功率，用于取代行波管(TWT)器件和TWT放大器。2016年预计会出现这些固态GaN功率放大器的32 kW版本。在期待这些放大器的同时，我们将考察高功率GaN放大器的一些主要特征和特性。
不久前，GaN还是反射频电子战(CREW)应用的首选技术，已有成千上万的放大器交付实际使用。现在，该技术也被部署到机载电子战领域，开发中的放大器能够在RF/微波范围的多个倍频程上提供数百瓦的输出功率。此类宽带电子战功率放大器的多个版本将会在今年发布。
